Bezeichnung=MOSFET, Typ=SIS108DN-T1-GE3, Abfallzeit=5 ns, Anstiegzeit=5 ns, Ausschaltverzögerung=12 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=80 V, Einschaltverzögerung=11 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=16 A, Leistungsverteilung (PV)=24 W, Pins=8, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=31 mΩ, Bauform=PowerPAK 1212-8, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 3 mm | Net weight: | 0,300 g | Depth: | 10 mm | Gross weight: | 0,3 g | Width: | 10 mm |
|