Bezeichnung=MOSFET, Typ=FDN352AP, Abfallzeit=2 ns, Anstiegzeit=28 ns, Ausschaltverzögerung=18 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=-30 V, Einschaltverzögerung=8 ns, Gate-Source-Spannung=25 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=-1.3 A, Leistungsverteilung (PV)=500 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=300 mΩ, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=P-Kanal, Verpackung=Band & Rolle |