Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=2N3055AG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=7 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=70, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=60 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=15 A, Leistungsverteilung (PV)=115 W, Pins=2, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=2.5 MHz, Bauform=TO-3, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Behälterschaumstoff Weitere Informationen: | | Country of origin: | MX | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 20 mm | Depth: | 39 mm | Gross weight: | 12 g | Width: | 25 mm |
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