Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=FJP13009H2TU, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.6 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=40, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=700 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=400 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=3 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=12 A, Leistungsverteilung (PV)=100 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=4 MHz, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre Weitere Informationen: | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 5 mm | Depth: | 30 mm | Gross weight: | 3,07 g | Width: | 10 mm |
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