Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE15035G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=100, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=350 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=350 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=4 A, Leistungsverteilung (PV)=50 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=30 MHz, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Röhre Weitere Informationen: | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 6 mm | Depth: | 30 mm | Gross weight: | 2 g | Width: | 10 mm |
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