Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFK80N60P3, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=25 ns, Ausschaltverzögerung=87 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=600 V, Einschaltverzögerung=48 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=80 A, Leistungsverteilung (PV)=1.3 kW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=77 mΩ, Bauform=TO-264, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Country of origin: | KR | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 5 mm | Depth: | 50 mm | Gross weight: | 10 g | Width: | 22 mm |
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