Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJD45H11T4, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=40, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=5 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=80 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=-999, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=8 A, Leistungsverteilung (PV)=20 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=DPAK, Konfiguration=Komplementär, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle |
