MOSFET, N-Kanal, 100V, 100A, TO-220AB

Bezeichnung=MOSFET, Typ=DIT100N10, Abfallzeit=55 ns, Anstiegzeit=50 ns, Ausschaltverzögerung=40 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100 V, Einschaltverzögerung=15 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=100 A, Leistungsverteilung (PV)=200 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=9.9 mΩ, Bauform=TO-220AB, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre