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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N60P MOSFET, N-KANAL, TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-1427299
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFH36N60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Fast-Recoverydiode
Fastrecoverygleichrichterdiode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 36 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 650 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH36N60P, 1427299, 142-7299
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