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Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1611400
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS6898AZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
  • Verlustleistung, n-Kanal: 2 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: -
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ON SEMICONDUCTOR, FDS6898AZ, 1611400, 161-1400
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