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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1611465

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NDS9407

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 3 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: SOIC

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 2.5 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 V

SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NDS9407, 1611465, 161-1465

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