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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8737-1664016
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R125CPATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125 ohm
  • Produktpalette: CoolMOS Series
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 25 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 208 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB60R125CPATMA1, 1664016, 166-4016
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