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VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -60V, -1.6A, SOT23

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1779264

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2309CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 1.6 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 1.7 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2309CDS-T1-GE3, 1779264, 177-9264

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