| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-1829764 Herst.-Nr.: IXFB52N90P EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 52 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PLUS264 Drain-Source-Spannung Vds: 900 VVerlustleistung: 1.25 kWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFB52N90P, 1829764, 182-9764 |
| | |
| |