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INFINEON FF650R17IE4DB2BOSA1 IGBT-MODUL, 1.7KV, 930A, 4.15KW


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1833598
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF650R17IE4DB2BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 930 A
  • IGBT-Anschluss: Lötfahne
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 V
  • Verlustleistung: 4.15 kW
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Zweifach
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FF650R17IE4DB2BOSA1, 1833598, 183-3598
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