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VISHAY SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, 40V, 4.4A, DIODE, SOT23

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1858942

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2319CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 4.4 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Drain-Source-Spannung Vds: 40 V

Verlustleistung: 1.25 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V

SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: diode, diode sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2319CDS-T1-GE3, 1858942, 185-8942

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