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VISHAY SI4850EY-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 8.5A 8-SOIC


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-1858964
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4850EY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 3.3 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4850EY-T1-GE3, 1858964, 185-8964
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