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VISHAY SIS407DN-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -20V, -25A, PPAK1212-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1859001
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS407DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 25 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 33 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400 mV
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS407DN-T1-GE3, 1859001, 185-9001
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