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ONSEMI NTD6416ANLT4G MOSFET, N-KANAL, DIODE, 100V, 19A, DPAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1879967
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTD6416ANLT4G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 19 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 71 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: diode, d-pak diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTD6416ANLT4G, 1879967, 187-9967
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