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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1885760

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDMS7650

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800 µohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 60 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: Power 56

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 104 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 V

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ON SEMICONDUCTOR, FDMS7650, 1885760, 188-5760

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