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VISHAY SI2399DS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, DIODE, 20V, 6A, SOT23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2056681
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2399DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-236
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 mV
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: diode, diode sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2399DS-T1-GE3, 2056681, 205-6681
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