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VISHAY SI4288DY-T1-GE3 MOSFET, NN-KANAL, DIODE, 40V, 9.2A, SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2056718
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4288DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2 A
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 3.1 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 3.1 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Qualifikation: -
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: diode, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SI4288DY-T1-GE3, 2056718, 205-6718
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