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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2083341

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDT86102LZ

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 ohm

Produktpalette: PowerTrench

MSL: -

Anzahl der Pins: 4 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 6.6 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-223

Drain-Source-Spannung Vds: 100 V

Verlustleistung: 2.2 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 V

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-223, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ON SEMICONDUCTOR, FDT86102LZ, 2083341, 208-3341

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