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Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2083357
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDME1024NZT
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8 A
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 1.4 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 1.4 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: µFET
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ON SEMICONDUCTOR, FDME1024NZT, 2083357, 208-3357
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