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| Artikel-Nr.: 8737-2283643 Herst.-Nr.: SI2329DS-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 ohmProduktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 6 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Drain-Source-Spannung Vds: 8 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350 mVSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2329DS-T1-GE3, 2283643, 228-3643 |
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