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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2323191
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS4465
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 13.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 mV
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 13a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDS4465, 2323191, 232-3191
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