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Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2335325
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4963BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9 A
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025 ohm
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 1.1 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 1.1 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SI4963BDY-T1-E3, 2335325, 233-5325
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