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INFINEON FP25R12KT4BOSA1 IGBT-MODUL, NPN, 1.85V, 25A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2377259
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP25R12KT4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 25 A
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 V
  • Verlustleistung: 160 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, schalttransistor npn, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FP25R12KT4BOSA1, 2377259, 237-7259
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