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VISHAY SI2312BDS-T1-E3 MOSFET, N-KANAL, 20V, 3.9A, SOT-23-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2396085
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2312BDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 3.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 750 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 mV
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2312BDS-T1-E3, 2396085, 239-6085
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