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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage

Menge:

Packung

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2432708

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
BSC060N10NS3GATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 90 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TDSON

Drain-Source-Spannung Vds: 100 V

Verlustleistung: 125 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSC060N10NS3GATMA1, 2432708, 243-2708

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