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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2443429

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPA60R190E6XKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 20.2 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-220

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 34 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPA60R190E6XKSA1, 2443429, 244-3429

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