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Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 4.7 A, 0.036 ohm, WLCSP

Menge:

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2545265

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PMCM4401VNEAZ

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 4 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 4.7 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: WLCSP

Drain-Source-Spannung Vds: 12 V

Verlustleistung: 400 mW

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 mV

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PMCM4401VNEAZ, 2545265, 254-5265

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