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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B

Menge:

Packung

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2545352

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
BC856BMBYL

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Schalttransistor
Transistor
schalttransistor pnp
schalttransistor

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: PNP

Übergangsfrequenz: 100 MHz

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-883B

Dauer-Kollektorstrom: 100 mA

DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220 hFE

Verlustleistung: 250 mW

Qualifikation: AEC-Q101

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Transistoren > Bipolare Transistoren > Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)

Weitere Suchbegriffe: (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, BC856BMBYL, 2545352, 254-5352

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