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Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2547309

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI7460DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 11 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 1.9 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 11a mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7460DP-T1-GE3, 2547309, 254-7309

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