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ONSEMI FQB12P20TM MOSFET, P-KANAL, -200V, -11.5A, TO-263-3

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2575361

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FQB12P20TM

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 200 V

Verlustleistung: 120 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36 ohm

Produktpalette: FQB

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQB12P20TM, 2575361, 257-5361

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