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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.45 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2630944
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHJ8N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45 ohm
  • Produktpalette: E
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 89 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHJ8N60E-T1-GE3, 2630944, 263-0944
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