VISHAY SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, -20V, -5.3A, SOT-23

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2646365

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2323DDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 ohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 5.3 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Drain-Source-Spannung Vds: 20 V

Verlustleistung: 1.7 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V

SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2323DDS-T1-GE3, 2646365, 264-6365

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