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ROHM SCT3080ALGC11 MOSFET, N-KANAL, 650V, 30A, TO-247N

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2678786

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
SCT3080ALGC11

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 30 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-247N

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 134 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 V

SVHC: Lead (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, mosfet, rohm mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, SCT3080ALGC11, 2678786, 267-8786

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