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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2679675
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2323DDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 5.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 1.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2323DDS-T1-GE3, 2679675, 267-9675
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