VISHAY SQJA86EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 N-KANAL 80V, POWERPAK SO

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2708316

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQJA86EP-T1_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155 ohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 30 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 80 V

Verlustleistung: 48 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V

SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJA86EP-T1_GE3, 2708316, 270-8316

Die Konditionen im Überblick¹

Lieferzeit

Lagerstand

Preis

auf Lager

ab CHF 0.376*

Preis gilt ab 2’500’000 Stück

Staffelpreise