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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2725840

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPB120P04P404ATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Drain-Source-Spannung Vds: 40 V

Verlustleistung: 136 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 ohm

Produktpalette: OptiMOS P2

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 120 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB120P04P404ATMA1, 2725840, 272-5840

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