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INFINEON FP50R12KT4GB15BOSA1 IGBT, MODUL, N-KANAL, 1.2KV, 50A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2726170
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12KT4GB15BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: EconoPIM 3
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Kollektorstrom: 50 A
  • Bauform - Transistor: Modul
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 V
  • Verlustleistung: 280 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FP50R12KT4GB15BOSA1, 2726170, 272-6170
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