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INFINEON FZ1200R45KL3B5NOSA1 TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 4.5KV, 1,2KA


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2726194
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FZ1200R45KL3B5NOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: IVH 190
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 125 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 1.2 kA
  • IGBT-Anschluss: Lötfahne
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V
  • Verlustleistung: 13.5 kW
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
  • RoHS konform: Nein
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FZ1200R45KL3B5NOSA1, 2726194, 272-6194
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