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| Artikel-Nr.: 8737-2728020 Herst.-Nr.: NSS60101DMTTBG EAN/GTIN: k.A. |
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| Verlustleistung, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: 180 MHzÜbergangsfrequenz, PNP: - Qualifikation: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1 AKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 VKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35 hFEProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Verlustleistung, NPN: 2.27 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: WDFN RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor array on semiconductor, transistor array, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NSS60101DMTTBG, 2728020, 272-8020 |
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