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| Artikel-Nr.: 8737-2728022 Herst.-Nr.: NSTB60BDW1T1G EAN/GTIN: k.A. |
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| Produktpalette: NSTB60 Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 22 kohmBasis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohmAnzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-363 Dauer-Kollektorstrom: 150 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hFEVerlustleistung: 385 mWQualifikation: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 VKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 VRoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor array npn, transistor array on semiconductor, transistor array, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, ONSEMI, NSTB60BDW1T1G, 2728022, 272-8022 |
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