| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-2769629 Herst.-Nr.: EMB3FHAT2R EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohmBasis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-563 Dauer-Kollektorstrom: 100 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFEVerlustleistung: 150 mWQualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 VKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: hf transistor, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, ROHM, EMB3FHAT2R, 2769629, 276-9629 |
| | |
| |