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ONSEMI FCD850N80Z MOSFET, N-KANAL, 800V, 6A, TO-252-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2825204
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCD850N80Z
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71 ohm
  • Produktpalette: SuperFET II
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 75 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCD850N80Z, 2825204, 282-5204
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