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STMICROELECTRONICS A1P35S12M3-F IGBT, MODUL, N-KANAL, 1.2KV, 35A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2832454
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     A1P35S12M3-F
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Produktpalette: ACEPACK 1 M
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Kollektorstrom: 35 A
  • Bauform - Transistor: Modul
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 V
  • Verlustleistung: 250 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, A1P35S12M3-F, 2832454, 283-2454
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