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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, PowerPAK 1212

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2833884

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQS460ENW-T1_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 8 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK 1212

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 39 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V

SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 8a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQS460ENW-T1_GE3, 2833884, 283-3884

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