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| Artikel-Nr.: 8737-2845425 Herst.-Nr.: NCV1413BDR2G EAN/GTIN: k.A. |
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| Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Verlustleistung, NPN: - Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOIC Verlustleistung, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: - Übergangsfrequenz, PNP: - Qualifikation: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500 mAKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 VKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000 hFERoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor array npn, transistor array on semiconductor, transistor array, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NCV1413BDR2G, 2845425, 284-5425 |
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